三星2nm制程突破：良率逼近70% 目标加速量产

三星电子近日在内部会议上透露，其2纳米（GAA）工艺的良率取得显著提升，年底目标已从原先的50%上调至70%。这一进展在业界被视为三星缩小与台积电差距、抢占高端代工市场的重要里程碑。

据悉，2024年底三星2nm工艺的试产良率约为30%，随后通过工艺优化和晶圆良率提升计划，已在2025年上半年突破40%大关，并在近期进一步攀升至约50%。在此基础上，三星计划在今年11月实现首款基于2nm工艺的Exynos 2600芯片的量产，届时该芯片将搭载Gate‑All‑Around（GAA）晶体管，提供更高的性能与更低的功耗。

三星的系统LSI与晶圆代工两大业务部门正同步推进，致力于将良率提升至70%以上，以满足大规模量产的经济性要求。业内人士指出，只有当良率达到约70%时，单颗芯片的成本才能得到有效控制，进而具备竞争力。

在技术层面，2nm GAA工艺相较于前代3nm工艺在性能上提升约12%，功耗下降约25%，这为高性能移动处理器和AI加速器提供了更大的设计空间。三星正利用这一优势争取包括英伟达GPU和高通移动AP在内的关键客户进行性能评估，已进入最终测试阶段。

与此同时，台积电的2nm良率已突破60%，并正向量产迈进。三星通过提升良率、降低成本以及加速量产时间窗口，意图在高端代工市场形成差异化竞争。业内分析认为，若三星能够在年底实现70%良率，将在争夺2026年及以后高通、英伟达等大客户订单方面占据有利位置。

为支撑2nm产能，三星在平泽等园区新建了专用生产线，并将原计划的1.4nm工艺量产时间推迟至2029年，以集中资源提升2nm工艺的产出率和良率。该策略显示出三星在技术路线选择上的明确倾向，即以2nm为突破口抢占市场先机。

从市场预期来看，Exynos 2600若如期在今年底或明年初实现大规模投产，将成为首批采用2nm GAA技术的商用芯片，预计将用于即将发布的Galaxy S26系列旗舰手机，进一步提升三星在高端手机芯片领域的自给率。

总体而言，三星2nm工艺的良率提升已从最初的30%突破至接近50%，并计划在年底实现70%目标。这一进展不仅为其自身的芯片产品线提供了技术支撑，也为争夺全球高端代工市场份额奠定了基础。随着良率的持续提升，三星有望在2025年下半年实现2nm芯片的商业化量产，开启其在下一代制程竞争中的新篇章。

（ 作者： | 责任编辑：歌者 ）